今早接到一台海信LED32K300液晶电视三无，拆机查看，主板有几块集成块已经严重烧坏，12V电压从几伏到三十多伏之间波动，估计芯片不保，
再看电源板，有几个容菇凉已经有孕在身，
降压变压器通过插件与电路板相连.输入端接口标识为“CN04”，输出端接口标识为“CN02” ,与电路图相对应。
主授课程：
认清各组件电路之间的关系，掌握各部分电路正常工作所需要的内、外部条件
海信电视之所以卖得那么好，和它出色的屏幕显示画质有着密不可分的关系。海信65E3G Pro支持4K高分辨率，细节真实丰富，搭配HDR画质增强技术，可以带来绝佳的画质呈现效果。该机还支持AI智能动态画质调教技术，利用处理器NPU和AI算法对画面内容机芯识别和优化，从而将一些分辨率低的画面优化至高分辨率，为大家带来超高清的4K观感体验。
外观上，区别于传统的电视屏幕设计，海信Vidda 32V1F-R电视采用全新悬浮工艺+专业屏幕贴合技术+三面无边框的纤薄全面屏工艺设计，屏幕立体感更强，即牢固又美观，屏占比也看起来更大，视野更加沉浸震撼。机身经Unibody技术工艺折弯打磨，实现了金属背板一体化，不仅大大提升了防尘与牢固性 ，清洁起来也更加方便，而且令整机看起来更有质感。
平板电视的维修思路
检测与代换
4) MOS管导通后其导通特性呈纯阻性——普通晶体三极管在饱和导通是，几乎是直通，有一个极低的压降，称为饱和压降，既然有一个压降，那么也就是；普通晶体三极管在饱和导通后等效是一个阻值极小的电阻，但是这个等效的电阻是一个非线性的电阻（电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律），而MOS管作为开关管应用，在饱和导通后也存在一个阻值极小的电阻，但是这个电阻等效一个线性电阻，其电阻的阻值和两端的电压降和流过的电流符合欧姆定律的关系，电流大压降就大，电流小压降就小，导通后既然等效是一个线性元件，线性元件就可以并联应用，当这样两个电阻并联在一起，就有一个自动电流平衡的作用，所以MOS管在一个管子功率不够的时候，可以多管并联应用，且不必另外增加平衡措施（非线性器件是不能直接并联应用的）。
是一台拆去后盖的淘宝海信32寸平板电视，型号为TLM32E29。在电视机内部，是两块较大的电路组件PCB板。这两块组件PCB板是什么电路PCB组件板呢？右边这块是信号处理PCB板，左边这块是电源组件PCB板。
电压不到220V，整流硅桥坏。
现在由于生产工艺的进步，出厂的筛选、检测都很严格，我们一般判断只要判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了，方法极为简单：
（海信↑）
变频空调外机电路板
主要输入信号方面主要有射频电视信号子模块、视频电视信号子模块、亮度信号子模块、色度信号子模块、色差分量信号子模块、VGA信号子模块，输出信号数字信号是上屏信号、音频信号、对开关电源和逆变器进行控制的开/待机控制信号。仅在一些附加功能上不同，如USB、HDMI子功能功能。
当激励方波信号的负半周来到时；晶体三极管Q1（NPN）截止、Q2（PNP）导通，MOS开关管Q3的栅极所充的电荷，经过Q2迅速放电，由于Q2是饱和导通，放电时间极短，保证了MOS开关管Q3的迅速的“关”，如上图B所示。
平板屏上的逻辑板模块又称控制板。平板屏上的逻辑板原理完全与与CRT彩电中的末级视频信号放大电路板原理与检修完全不同。逻辑板数字电路功能，不是信号放大器，而是一个内置有数字移位寄存器（水平和垂直移位）的专用模块电路。逻辑板模块有自身的软件和工作程序。逻辑板子模块的作用是对信号处理板送来的LVDS或TTL图像数据信号、时钟信号进行处理，通过移位寄存器将图像数据信号、时钟信号变换成能对TFT－LCD液晶显示器件工作状态进行控制的行列驱动信号，然后送往行列驱动电路。
5V不正常，换7805。
在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。
初步的了解了以上的关于MOS管的一些知识后，一般的就可以简单的分析，采用MOS管开关电源的电路了。
实例应用电路分析
MOS管和普通的晶体三极管相比，有以上四项优点，就足以使MOS管在开关运用状态下完全取代普通的晶体三极管。目前的技术MOS管道VDS能做到1000V，只能作为开关电源的开关管应用，随着制造工艺的不断进步，VDS的不断提高，取代显像管电视机的行输出管也是近期能实现的。
总结：
在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。
（海信↑）
有了以上这2种元件就可以产生300V左右的电压。
此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为 2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。
光耦是反馈电路，监视12V电压变化情况，随时通知viper22及时调整，使12V稳定不变。
对于MOS管代换虽然也是这一原则，最好是原型号的最好，特别是不要追求功率要大一些，因为功率大；输入电容就大，换了后和激励电路就不匹配了，激励灌流电路的充电限流电阻的阻值的大小和MOS管的输入电容是有关系的，选用功率大的尽管容量大了，但输入电容也就大了，激励电路的配合就不好了，这反而会使MOS管的开、关性能变坏。所示代换不同型号的MOS管，要考虑到其输入电容这一参数。
滤波器输出端的引线接在电 抗器的输入端，经过一组绕组后 与桥式整流电路相连，电抗器的另一侧绕组与谐振电容并联。